报道：三星将采用台积电技术为英伟达生产下一代内存芯片

报道：三星将采用台积电技术为英伟达生产下一代内存芯片 三星电子将采用台积电的3纳米制程，为英伟达下一代定制HBM芯片生产基底裸片。此举将标志着三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。 据业界消息人士透露，英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电的工艺制造NVHBM基底裸片，并采用第六代DRAM技术制造其核心芯片。